9月14日，納微 (Navitas) 半導(dǎo)體在北京召開(kāi)新聞發(fā)布會(huì)，宣布推出**上zui小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設(shè)計(jì)，以消費(fèi)領(lǐng)域?yàn)樵隽炕A(chǔ)，意在提升產(chǎn)量以降低成本，未來(lái)有望開(kāi)拓更加廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。

作為*cascode CaN功率FET的聯(lián)合，納微 (Navitas) 半導(dǎo)體在***半導(dǎo)體技術(shù)和營(yíng)銷(xiāo)人員構(gòu)成的核心團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)下，三年中產(chǎn)品更新迭代迅速展開(kāi)，得到了金融和投資界的青睞并給予強(qiáng)力支持。本次推出的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器面向筆記型電腦推出，體積和重量比慢速的基于硅的設(shè)計(jì)小五倍。

這一高頻及的AllGaN™功率IC，可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕重量和降低成本。相比現(xiàn)有的基于硅類(lèi)功率器件的設(shè)計(jì)，需要98-115cc（或6-7 in3）和重量達(dá)300g，基于AllGaN™功率IC的65W新設(shè)計(jì)體積僅為45cc（或2.7 in3），而重量?jī)H為60g。

納微半導(dǎo)體銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Stephen Oliver表示：“筆記本電腦的電源適配器終于和它所充電的筆記型電腦一樣變得輕薄細(xì)小，并且價(jià)格實(shí)惠。電源的設(shè)計(jì)人員面臨幾個(gè)相沖突的業(yè)界挑戰(zhàn)，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標(biāo)準(zhǔn)，一直到成本等相關(guān)問(wèn)題。納微的單芯片GaN功率IC可同時(shí)達(dá)到高速運(yùn)作及率，其設(shè)計(jì)的方案滿(mǎn)足所有這些挑戰(zhàn)；與舊式慢速基于硅的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)相比，成本相近甚至更低。” 

用GaN 功率IC設(shè)計(jì)的65W參考設(shè)計(jì)NVE028A 采用有源鉗位反激 (ACF) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的，開(kāi)關(guān)速度比典型的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)快了3至4倍，損耗降低40%，從而實(shí)現(xiàn)更小的尺寸和更低的成本。該設(shè)計(jì)*符合歐盟CoC Tier 2及美國(guó)能源部6級(jí) (DoE VI) 所規(guī)范的能效標(biāo)準(zhǔn)，更在滿(mǎn)負(fù)載下實(shí)現(xiàn)超過(guò)94%的zui高尖峰效率。

 中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)兼浙江大學(xué)電力電子技術(shù)研究所所長(zhǎng)徐德鴻表示：“這是電源適配器設(shè)計(jì)的一大成就。我認(rèn)為中國(guó)電源制造商一直在尋找這樣的寬禁帶功率組件，以進(jìn)一步提高電源的效率和功率密度，從而滿(mǎn)足客戶(hù)的要求。”

有別于早期的高密度電源適配器設(shè)計(jì)，NVE028A使用簡(jiǎn)單、標(biāo)準(zhǔn)、低成本的制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了小尺寸(51 x 43 x 20.5 mm)和突破性的功率密度(1.5W/cc，24W/in3 )。 

納微半導(dǎo)體執(zhí)行官Gene Sheridan表示：“自從我們?cè)?016年度應(yīng)用功率電子會(huì)議和展覽會(huì) (APEC) 發(fā)表了AllGaN平臺(tái)以來(lái)，納微還推出了單芯片和半橋式GaN功率IC，業(yè)界zui小的150W轉(zhuǎn)換器，和現(xiàn)在我們發(fā)布的滿(mǎn)足所有能效標(biāo)準(zhǔn)的業(yè)界zui小65W USB-PD設(shè)計(jì)。這個(gè)高靈活性，高性能，高成本效益的小型化方案平臺(tái)滿(mǎn)足并超越移動(dòng)和消費(fèi)性市場(chǎng)預(yù)期。”

對(duì)于納微半導(dǎo)體產(chǎn)品的應(yīng)用，Gene Sheridan提出，65W USB-PD (Type-C)這一方案并不限定個(gè)人消費(fèi)品市場(chǎng)，從消費(fèi)領(lǐng)域切入，目的在于增加銷(xiāo)貨量，降低成本，讓它能夠有更加廣闊的市場(chǎng)空間。同時(shí)，他提出，在高頻、高壓、高密度的工業(yè)領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體有非常的表現(xiàn)。